Características Principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia operativa de hasta 175 MHz Potencia de salida máxima de 100 vatios Voltaje de colector de 12.5 VCC Diseño robusto para alta eficiencia energética Aplicaciones Sistemas de comunicación VHF Transmisores FM Amplificadores de potencia RF Especificaciones RF Frecuencia: 175 MHz Potencia de salida: 100 W Relación de ganancia: 6.0 dB Impedancia entrada: 1.5 - j 0.9 Ω Impedancia carga: 0.5 - j 1.0 Ω Especificaciones Eléctricas Voltaje colector-base: 36 V Voltaje colector-emisor: 18 V Voltaje emisor-base: 4.0 V Corriente colector: 20 A Disipación de potencia: 270 W Especificaciones Térmicas Resistencia térmica (junto-case): 0.65 °C/W Temperatura de unión: +200 °C Temperatura almacenamiento: -65 a +150 °C Conexiones y Empaque Conexión colector: Perno Conexión base: Cable Conexión emisor: Cable Tipo de empaque: Sellado con epoxi Condiciones de Prueba Frecuencia: 175 MHz Voltaje de prueba: 12.5 VCC Potencia de entrada: 25 W Clase de operación: Clase C

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