Memoria SDXC de 512 GB diseñada para aplicaciones de captura de video en movimiento como drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades secuenciales de lectura de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, cumpliendo con los estándares V30, U3 y Clase 10 para garantizar la grabación continua de video 4K sin caídas de frames. Construida con memoria NAND TLC e incorpora algoritmos de wear leveling avanzados que distribuyen el desgaste de escritura de manera uniforme, extendiendo la vida útil del dispositivo. Su rango de operación térmica de -25°C a 80°C permite su uso en entornos de alta exigencia climática, mientras que su diseño resiste impactos mecánicos, vibraciones, exposición a rayos X y campos magnéticos, asegurando la integridad de los datos en condiciones adversas. Características Generales • Capacidad: 512 GB • Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s • Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s • Clase de velocidad: V30, U3, Clase 10 • Tipo de memoria: NAND TLC • Wear leveling avanzado • Rango de temperatura de operación: -25°C a 80°C • Resistencia a impactos, vibración, rayos X y magnetismo • Formato: SDXC Desempeño Capacidad: 512 GB Lectura secuencial: 180 MB/s Escritura secuencial: 150 MB/s Clase de velocidad: V30 Clase UHS: U3 Clase de aplicación: Clase 10 Formato: SDXC Físicas y Ambientales Tipo de memoria: NAND TLC Wear leveling avanzado Temperatura operación: -25°C a 80°C Resistencia a impactos Resistencia a vibración Resistencia a rayos X Resistencia a magnetismo Contenido del Paquete Memoria SDXC HIKSEMI CAPTURE E30 512 GB Adaptador SD (según configuración de producto)

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